▲工研院與信紘科(6667)共同發表靜電消散類鑽碳(ESD-DLC)膜層鍍膜技術，圖左至右為漢泰先進材料協理蘇俊鳴、信紘科技行政副總王怡文、信紘科技研發副總陳艷程、信紘科技董事長簡士堡、工研院材化所副所長陳哲陽、工研院金屬複材組組長陳興華、工研院高階鍍膜實驗室經理蕭威典。（圖／工研院提供）

【視傳媒記者羅蔚舟／苗栗報導】
在經濟部技術處科技專案支持下，信紘科技股份有限公司（以下簡稱“信紘科”或“本公司”，股票代碼：6667）攜手工研院合作開發，發表最新之靜電消散類鑽碳(Electro-Static Dissipative Diamond-Like Carbon，ESD-DLC)膜層鍍膜技術，成功運用先進表面改質技術於先進半導體封測載板、載盤上，取代習用硬陽處理，因碰撞或是其他清洗因素造成膜層剝離而產生之靜電防護破口，推進台灣先進封測產業邁出新的一哩路。

▲工研院與信紘科(6667)攜手合作開發，並於今日發表最新之靜電消散類鑽碳(ESD-DLC)膜層鍍膜技術，成功運用先進表面改質技術於先進半導體封測載板、載盤上，推進台灣先進封測產業邁出新的一哩路。（圖／工研院提供）

信紘科董事長簡士堡表示，榮幸與工研院共同研發ESD-DLC最新技術，讓台灣的產研合作有更多的新火花，信紘科以期雙方開發成果之展現，不僅為台灣半導體產業鏈創造領先全球的機運，亦增加市場拓展的範疇，齊步搶攻先進封裝測試與半導體市場更多的市場份額，並對整體營運帶來正面的挹注。

經濟部技術處表示，台灣在世界半導體供應鏈中扮演不可或缺的角色，面對國內世界級大廠對產品升級的需求，經濟部技術處積極投入半導體創新科技研發，以科技專案支持工研院與國內半導體設備及廠務業者信紘科技合作，研發新一代靜電消散類鑽碳膜層鍍膜技術，透過多層結構設計及耐蝕膜層製程技術，解決傳統封裝製程的靜電防護難題，大幅提高製程良率及產品使用壽命，協助廠商突破表面改質技術門檻，提升半導體產業國際競爭力。

工研院材料與化工研究所所長李宗銘指出，近年來因國際環保意識提升，國際大廠紛紛要求供應鏈符合綠色製程，工研院以物理氣相沉積法(Physical vapor deposition，PVD)為基礎開發的真空高階鍍膜技術，可應用於LED 載盤、晶圓及IC封裝載盤等高價值產品，對比傳統硬陽處理及鐵氟龍噴塗製程，具有高良率、低汙染、高附著力、可循環及低溫製程等特性，並透過特殊膜層結構設計，使產品可客製化調控表面電性，在硬度、附著力、耐磨耗及耐化學腐蝕性等具有優異表現，目前已通過產品應用驗證，協助台灣產業升級，搶攻高階先進半導體市場。